Silício On Isolador Wafer

Silício On Isolador Wafer

SOI stands for silicon-on-insulator, An SOI wafer is made up of 3 basic layers, a device layer, a BOX layer and a Handle layer. The BOX layer also called the Buried Oxide layer is trapped between the Device layer and the Handle layer.
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SOI stands for silicon-on-insulator, An SOI wafer is made up of 3 basic layers, a device layer, a BOX layer and a Handle layer. The BOX layer also called the Buried Oxide layer is trapped between the Device layer and the Handle layer.

 

 

SOI silicon wafers are ideal for high-performance ICs, such as microprocessors, porque they provide a more stable and reliable foundation for the circuitry. Adicionalmente, they are well-suited for wireless communication devices, which require low power consumption and high speed data transfer in order to function efficient.

 

No geral, SOI silicon wafers offer significant advantages over traditional silicon wafers, making them a critical component in the manufacture of modern electronics.

 

We can provide diameter of 2"-12", top silicon thickness of 55nm-500um, buried oxygen layer thickness of 175nm-16um.

 

Sibranch oferta SOI wafers of the following types:

Grosso SOI Wafer

Este tipo de wafer has device thickness from 1µm to 300µm.

 

Ultra-fino SOI Wafer

Este tipo de wafer tem dispositivo espessura <500nm.

 

Ultra-uniforme SOI Wafer

Uniformidade de dispositivo espessura pode ser as baixa as ±0.5µm for thick SOI e ±10nm for ultra-fino SOI.

 

Ultra-Flat SOI Wafer

 

Diâmetro

76, 100mm, 125mm, 150mm, 100mm, 300mm

76mm, 100 mm, 125 mm, and 150 mm

2-50 +/- .5μm, 0.1~1+/- .025μm

50-150 +/- 1μm

>150 +/- 2μm

6-50 +/- .5μm

200 milímetro

50-150 +/- 1μm

>150 +/- 2μm

 

Óxido Camada Espessura

Padrão – .5μm, 1μm, and 2μm

Opcional – .1 – 10μm

Alça Wafer Espessura

3", 100mm – 300μM E UP

125 mm, 150mm – 400μm and up

200mm – 500μm e up

Tolerância: Padrão +/- 25μm

Especial +/- 5μm

Dopantes

P Tipo – Boro

Resistividades

Maioria resistividades disponível on request incluindo alta resistividade Float Zone e baixa resistividade CZ

Orientação

<1-0-0> Padrão, <1-1-1> e <1-1-0> Opcional em solicitação

Padrão tolerância +/- .5 grau

Especial tolerância as baixa as +/- .1 grau

Plano Orientação

Tudo major flats/Notches are on the <110> Plano +/-.5 grau

Mais apertado specificatioin available upon request

Semi std minor flats are standard on 76.2 and 100mm

Duplo lado polido padrão

Opcional backside acabamentos – nano grind or oxide

Revestimentos

Óxido e nitreto pode ser fornecido em ambos lados de o wafer.

Opcional Íon Implantado Sepultado Camada

 

Produto Imagem
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Porque escolher-nos

 

Nossos produtos são provenientes exclusivamente dos cinco maiores fabricantes do mundo e das principais fábricas nacionais. Apoiado por equipes técnicas nacionais e internacionais altamente qualificadas e medidas rigorosas de controle de qualidade.

Nosso objetivo é fornecer aos clientes suporte individual e abrangente, garantindo canais de comunicação tranquilos, profissionais, oportunos e eficientes. Oferecemos uma quantidade mínima de pedido baixa e garantimos uma entrega rápida em 24 horas.

 

Mostra de fábrica

 

Nosso vasto estoque consiste em 1000+ produtos, garantindo que os clientes possam fazer pedidos de apenas uma peça. Nossos equipamentos próprios para corte em cubos e retificação e total cooperação na cadeia industrial global nos permitem envio imediato para garantir satisfação e conveniência completas do cliente.

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Nosso certificado

 

Nossa empresa se orgulha das diversas certificações que conquistamos, incluindo nosso certificado de patente, certificado ISO9001 e certificado National High-Tech Enterprise. Essas certificações representam nossa dedicação à inovação, gestão da qualidade e compromisso com a excelência.

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