Descrição do produto
Este wafer tem um diâmetro de 300 milímetros, o que o torna maior do que os tamanhos tradicionais de wafer. Esse tamanho maior o torna mais econômico e eficiente, permitindo maior produção sem sacrificar a qualidade.
O wafer de silício de 300 mm é feito de silício extremamente puro, garantindo excelente desempenho e confiabilidade em uma ampla gama de aplicações. Oferece alta precisão e uniformidade, garantindo desempenho e qualidade consistentes em cada lote.
Em termos de propriedades mecânicas, este wafer possui excelente planicidade e uniformidade de espessura, resultando em alto rendimento e baixo índice de defeitos durante a produção. Sua superfície é extremamente lisa, tornando-o ideal para aplicações de alto desempenho que exigem ótima qualidade de superfície.
Outra vantagem do wafer de silício de 300 mm é sua capacidade de suportar altas temperaturas, tornando-o adequado para uso em diversos ambientes agressivos. Este recurso é particularmente benéfico para indústrias como a aeroespacial e de defesa, onde os componentes devem funcionar de forma confiável em condições extremas.
No geral, o wafer de silício de 300 mm é um produto top de linha que oferece desempenho e confiabilidade incomparáveis. Seus recursos e benefícios avançados fazem dele um componente essencial em muitas indústrias, fornecendo substratos de alta qualidade para uma ampla gama de dispositivos e sistemas.
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Crescimento |
CZ, MCZ, FZ |
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Nota |
Prime, Teste, Manequim, etc. |
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Diâmetro |
12 polegadas/300mm |
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Grossura |
600~800um |
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Terminar |
Como corte, lapidação, DSP (300nm, 200nm, 120nm, 90nm, 65nm, 37nm), etc. |
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Orientação |
(100) etc |
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Fora do corte |
Até 4 graus |
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Tipo/Dopante |
P/B, N/Fos, N/As, N/Sb, Intrínseco |
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Resistividade |
CZ/MCZ: De 0,001 a 200 ohm-cm |
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FZ: Até 5000 ohm-cm |
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Filmes finos |
* PVD: Al, Cu, Au, Cr, Si, Ni, Fe, Mo, etc, Espessuras de revestimento até 20, 000 Å / ± 5% |
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* LPCVD/PECVD: Óxido, Nitreto, SiC, etc, Espessuras de revestimento até 200, 000 Å / ± 3% |
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* Wafers epitaxiais de silício e serviços epitaxiais (SOS, GaN, GOI etc). |
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Processos |
DSP, ultrafino, ultraplano, etc. |
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Redução de tamanho, retificação, corte em cubos, etc. |
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MEMS |
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