Descrição do produto
SOI significa silício sobre isolante. Um wafer SOI é composto de 3 camadas básicas, uma camada de dispositivo, uma camada BOX e uma camada Handle. A camada BOX, também chamada de camada Buried Oxide, fica presa entre a camada Device e a camada Handle.
Os transistores se formam na camada superior do dispositivo, que é o centro da velocidade e eficiência do wafer SOI. Esses transistores não são apenas excelentes quando se trata de conservação de energia, mas também são protegidos de fatores externos, como raios cósmicos e interferências radioativas, levando à redução da perda de dados.
Os wafers de silício SOI são ideais para CIs de alto desempenho, como microprocessadores, porque fornecem uma base mais estável e confiável para o circuito. Além disso, eles são adequados para dispositivos de comunicação sem fio, que requerem baixo consumo de energia e transferência de dados em alta velocidade para funcionarem de forma eficiente.
No geral, os wafers de silício SOI oferecem vantagens significativas em relação aos wafers de silício tradicionais, tornando-os um componente crítico na fabricação de eletrônicos modernos.
Podemos fornecer diâmetro de 2"-12", espessura superior de silício de 55nm-500um, espessura da camada de oxigênio enterrada de 175nm-16um.
A Sibranch oferece wafers SOI dos seguintes tipos:
Bolacha SOI espessa
Este tipo de wafer possui espessura de dispositivo de 1 µm a 300 µm.
Wafer SOI ultrafino
Este tipo de wafer tem espessura de dispositivo<500nm.
Wafer SOI ultrauniforme
A uniformidade da espessura do dispositivo pode ser tão baixa quanto ±00,5 µm para SOI espesso e ±10 nm para SOI ultrafino.
Wafer SOI ultraplano
Este tipo de SOI possui BOW/WARP/TTV muito baixo para aplicações específicas.
|
Diâmetro |
76, 100mm, 125mm, 150mm, 100mm, 300mm |
|
|
Espessura do dispositivo e tolerância máxima |
76 mm, 100 mm, 125 mm e 150 mm |
2-50 +/- .5μm, 0.1~1+/- .025μm |
|
50-150 +/- 1μm |
||
|
>150 +/- 2μm |
||
|
6-50 +/- .5μm |
||
|
200 milímetros |
50-150 +/- 1μm |
|
|
>150 +/- 2μm |
||
|
Espessura da Camada de Óxido |
Padrão – 0,5μm, 1μm e 2μm |
|
Opcional – 0,1 – 10μm |
|
|
Lidar com a espessura do wafer |
3", 100mm – 300μm e superior |
|
125 mm, 150 mm – 400 μm e superior |
|
|
200mm – 500μm e superior |
|
|
Tolerância: Padrão +/- 25μm |
|
|
Especial +/- 5μm |
|
|
Dopantes |
Tipo N – Fósforo, Arsênico e Antimônio |
|
Tipo P – Boro |
|
|
Resistividades |
A maioria das resistividades disponíveis mediante solicitação, incluindo Zona Flutuante de alta resistividade e CZ de baixa resistividade |
|
Orientação |
<1-0-0>Padrão,<1-1-1>e<1-1-0>Opcional sob consulta |
|
Tolerância padrão +/- 0,5 grau |
|
|
Tolerância especial tão baixa quanto +/- 0,1 grau |
|
|
Orientação plana |
Todos os principais apartamentos/entalhes estão no<110>Plano +/- 0,5 graus |
|
Especificações mais rigorosas disponíveis mediante solicitação |
|
|
Flats menores semi-padrão são padrão em 76,2 e 100 mm |
|
|
Terminar |
Padrão polido dupla face |
|
Acabamentos traseiros opcionais – nano moagem ou óxido |
|
|
Revestimentos |
Óxido e nitreto podem ser fornecidos em ambos os lados do wafer. |
|
Camada enterrada implantada com íon opcional |
Uma camada enterrada pode ser implantada na camada ativa na interface de ligação. Verifique se o dopante desejado, a concentração de dopante e as energias desejadas estão disponíveis. Este serviço é fornecido por um contratante externo. |
Imagem do produto
Porque escolher-nos
Nossos produtos são provenientes exclusivamente dos cinco maiores fabricantes do mundo e das principais fábricas nacionais. Apoiado por equipes técnicas nacionais e internacionais altamente qualificadas e medidas rigorosas de controle de qualidade.
Nosso objetivo é fornecer aos clientes suporte individual e abrangente, garantindo canais de comunicação tranquilos, profissionais, oportunos e eficientes. Oferecemos uma quantidade mínima de pedido baixa e garantimos uma entrega rápida em 24 horas.
Mostra de fábrica
Nosso vasto estoque consiste em 1000+ produtos, garantindo que os clientes possam fazer pedidos de apenas uma peça. Nossos equipamentos próprios para corte em cubos e retificação e total cooperação na cadeia industrial global nos permitem envio imediato para garantir satisfação e conveniência completas do cliente.
Nosso certificado
Nossa empresa se orgulha das diversas certificações que conquistamos, incluindo nosso certificado de patente, certificado ISO9001 e certificado National High-Tech Enterprise. Essas certificações representam nossa dedicação à inovação, gestão da qualidade e compromisso com a excelência.
Tag: silício soi em isolador, China silício soi em fabricantes de isoladores, fornecedores, fábrica
