Descrição

Parâmetros técnicos

Descrição do produto

SiC epi wafer é um produto semicondutor avançado e de alta qualidade no mercado. É um tipo de wafer epitaxial de carboneto de silício que oferece excelente desempenho em diversas aplicações eletrônicas e ópticas. O wafer SiC epi é fabricado utilizando técnicas avançadas de crescimento de cristal, resultando em um material de alta qualidade com propriedades superiores.

Uma das vantagens significativas do SiC epi wafer é sua alta tensão de ruptura, tornando-o uma escolha ideal para aplicações de alta potência e alta temperatura. Também é altamente resistente a esforços térmicos e mecânicos, o que garante estabilidade e durabilidade mesmo em ambientes agressivos. Suas excelentes propriedades de condutividade térmica permitem uma dissipação de calor eficiente, reduzindo o risco de danos térmicos aos componentes eletrônicos.

O wafer SiC epi é amplamente utilizado em vários dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos, incluindo eletrônica de potência, iluminação e sensores. Oferece excelente desempenho e confiabilidade, mesmo em aplicações exigentes que exigem alta temperatura e alta potência. Além disso, é uma alternativa ecológica e sustentável aos materiais tradicionais à base de silício, tornando-o uma escolha ideal para consumidores ambientalmente conscientes.

4H SiC TIPO N 100MM, 350ESPECIFICAÇÃO DE WAFER μm
Número do artigo	W4H100N-4-PO (ou CO)-350
Descrição	Substrato 4H SiC
Politipo	4H
Diâmetro	(100+0.0-0.5) milímetros
Grossura	(350±25) μm (grau de engenharia ±50μm)
Tipo de operadora	tipo n
Dopante	Azoto
Resistividade (RT)	0.012-0.025Ω▪cm (Grau de Engenharia<0.025Ω▪cm)
Orientação de wafer	(4+0,5) grau
	Grau de engenharia	Grau de produção	Grau de produção
	2.1	2.2	2.3
Densidade do Microtubo	Menor ou igual a 30cm-²	Menor ou igual a 10cm-²	Menor ou igual a 1cm-²
Área livre de microtubos	Não especificado	Maior ou igual a 96%	Maior ou igual a 96%
Orientação plana (OF)
Orientação	Paralela {1-100} ±5 graus
Comprimento plano de orientação	(32,5±2,0) mm
lidentificação plana (IF)
Orientação	Si-face: 90 graus cw, de orientação plana ±5 graus
comprimento plano de identificação	(18.0+2.0) milímetros
Superfície	Opção 1: Polimento padrão Si-face Polimento óptico de face C Epi-ready
	Opção 2: Si-face CMP Epi-ready, polimento óptico de face C
Pacote	Caixa de transporte de vários wafers (25)
	(Pacote de wafer único mediante solicitação)

6H SiC TIPO N, ESPECIFICAÇÃO DE WAFER DE 2"
Número do artigo	W6H51N-0-PM-250-S
Descrição	Substrato SiC de grau de produção 6H
Politipo	6H
Diâmetro	(50,8±38) mm
Grossura	(250±25) hum
Tipo de operadora	tipo n
Dopante	Azoto
Resistividade (RT)	0.06-0.10Ω▪CM
Orientação de wafer	(0+0,5) grau
Densidade do Microtubo	Menor ou igual a 100cm-²
Orientação orientação plana	Paralelo {1-100} ±5 graus
Comprimento plano de orientação	(15,88±1,65) mm
Orientação plana de identificação	Face Si: 90 graus cw. orientação da testa plana ±5 graus
comprimento plano de identificação	(8+1,65) milímetros
Superfície	Polidor padrão Si-face pronto para Epi
Superfície	Face C fosca
Pacote	Pacote de pacote de wafer único ou caixa de transporte de vários wafers

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SiC GaN Wafer1

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