Descrição do produto
O substrato de wafer de silício é um material de alta qualidade que serve de base para uma ampla gama de dispositivos eletrônicos. Feito de silício puro, esse substrato é um componente essencial para a fabricação de microchips, células solares e outros semicondutores.
Com sua excelente condutividade elétrica e baixos níveis de impurezas, o substrato de wafer de silício fornece uma base estável para circuitos eletrônicos. É amplamente utilizado na indústria de semicondutores para a produção de circuitos integrados, chips de computador e outros componentes eletrônicos.
Além de seu papel na eletrônica, o substrato do wafer de silício também é um material chave usado na produção de células solares. A alta pureza do silício permite a conversão eficiente da luz solar em energia elétrica, tornando-o um material ideal para aplicações de energia renovável.
Na Sibranch, temos orgulho de fornecer substrato de wafer de silício de alta qualidade aos nossos clientes. Nossos produtos são feitos com os melhores materiais e são rigorosamente testados para garantir o desempenho ideal. Oferecemos uma variedade de tamanhos e especificações para atender às necessidades de diversas aplicações, e nossa equipe de especialistas está sempre disponível para fornecer suporte técnico e orientação.
Se você está procurando um substrato confiável e eficiente para suas aplicações eletrônicas ou de energia renovável, não procure além do substrato de wafer de silício da Sibranch. Com nosso compromisso com a qualidade e inovação, estamos confiantes de que nossos produtos superarão suas expectativas.
* Sibranch é um fornecedor abrangente de serviços de substratos semicondutores.
* Fornecemos pequenas quantidades, produtos com especificações especiais e serviços personalizados.
* Nossos produtos incluem wafers de silício de 1-12 polegadas (fictício, teste, grau de produto), SiC, GaN, LN e LT e GaAs, substratos InP, etc.
* Como serviço de personalização, também podemos processar filme de óxido de wafer de silício, filme de nitreto, filme de metal, EPI, serviço personalizado ultraespesso, ultraplano, polimento unilateral / dupla face, desbaste, serviço de corte em cubos, etc.
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Crescimento |
CZ, MCZ, FZ |
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Nota |
Prime, Teste, Manequim, etc. |
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Diâmetro |
1-12 polegadas |
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Grossura |
50~3000um |
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Terminar |
Como corte, lapidação, DSP (300nm, 200nm, 120nm, 90nm, 65nm, 37nm), etc. |
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Orientação |
(100) (111) (110) (531) (553) etc. |
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Fora do corte |
Até 4 graus |
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Tipo/Dopante |
P/B, N/Fos, N/As, N/Sb, Intrínseco |
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Resistividade |
CZ/MCZ: De 0,001 a 200 ohm-cm |
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FZ: Até 5000 ohm-cm |
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Filmes finos |
* PVD: Al, Cu, Au, Cr, Si, Ni, Fe, Mo. etc, Espessuras de revestimento de até 20, 000 Å / ± 5% |
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* LPCVD/PECVD: Óxido, Nitreto, SiC, etc, Espessuras de revestimento até 200, 000 Å / ± 3% |
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* Wafers epitaxiais de silício e serviços epitaxiais (SOS, GaN, GOI etc). |
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Processos |
DSP, ultrafino, ultraplano, etc. |
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Redução de tamanho, retificação, corte em cubos, etc. |
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MEMS |
Imagem do produto


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Nosso certificado
Nossa empresa se orgulha das diversas certificações que conquistamos, incluindo nosso certificado de patente, certificado ISO9001 e certificado National High-Tech Enterprise. Essas certificações representam nossa dedicação à inovação, gestão da qualidade e compromisso com a excelência.
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