Descrição do produto
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Crescimento |
CZ, MCZ, FZ |
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Nota |
Prime, Teste, Manequim, etc. |
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Diâmetro |
4 polegadas/100mm |
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Grossura |
50~3000um |
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Terminar |
Como cortado, lapidado, gravado, SSP, DSP, etc. |
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Orientação |
(100) (111) (110) (211) (311) (511) (531) etc. |
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Fora do corte |
Até 7 graus |
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Tipo/Dopante |
P/B, N/Fos, N/As, N/Sb, Intrínseco |
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Resistividade |
CZ/MCZ: De 0,001 a 1000 ohm-cm |
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FZ: Até 20k ohm-cm |
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Filmes finos |
* PVD: Al, Cu, Au, Cr, Si, Ni, Fe, Mo. etc, Espessuras de revestimento de até 20, 000 Å / ± 5% |
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* LPCVD/PECVD: Óxido, Nitreto, SiC, etc, Espessuras de revestimento até 200, 000 Å / ± 3% |
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* Wafers epitaxiais de silício e serviços epitaxiais (SOS, GaN, GOI etc). |
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Processos |
DSP, ultrafino, ultraplano, etc. |
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Redução de tamanho, retificação, corte em cubos, etc. |
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MEMS |
O wafer de silício de 4 polegadas é um produto de tecnologia de ponta e altamente avançada, fundamental para a produção de eletrônicos modernos. É feito de silício de alta pureza e é usado na fabricação de microchips, transistores e outros componentes eletrônicos.
O wafer possui especificações altamente precisas, o que permite a criação de circuitos intrincados e complexos. Isso leva a maior desempenho e eficiência em dispositivos eletrônicos, como smartphones, laptops e computadores.
O wafer de silício de 4 polegadas é uma prova da incrível inovação e progresso no campo da fabricação de eletrônicos. Sua confiabilidade e precisão fazem dele um ativo valioso para qualquer empresa de eletrônicos que busca produzir produtos de alta qualidade.
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