Introdução básica do wafer de silício SOI

A empresa pode fornecer aos clientes várias especificações e wafers de silício SOI de alta qualidade (Silicon On Insulator-Silicon On Insulator), que são adequados para clientes em uma ampla gama de aplicações, incluindo MEMS, dispositivos de energia, sensores de pressão e fabricação de circuitos integrados CMOS. Os wafers SOI fornecem uma boa solução para dispositivos de alta velocidade e baixa potência e são amplamente considerados como uma nova solução para dispositivos de alta tensão e RF. O wafer SOI é uma estrutura tipo sanduíche com três camadas; incluindo a camada superior (camada do dispositivo), a camada intermediária de óxido enterrado (camada isolante de SiO2) e o substrato inferior (silício a granel). Os wafers SOI são produzidos usando o método SIMOX e a tecnologia de ligação de wafer, para que camadas de dispositivos mais finas e precisas, espessura uniforme e baixa densidade de defeitos possam ser alcançadas.