Descrição

Parâmetros técnicos

Descrição do produto

Wafers de sílica fundida são amplamente utilizados como substratos para a deposição de filmes finos para dispositivos semicondutores e outras aplicações de alta tecnologia. Sua alta pureza e baixa densidade de defeitos os tornam ideais para a produção de dispositivos microeletrônicos, como microprocessadores, chips de memória e sensores.

Além disso, wafers de sílica fundida também são usados na produção de dispositivos MEMS (sistemas microeletromecânicos), que são componentes essenciais em diversos produtos eletrônicos de consumo, incluindo smartphones e wearables. Suas propriedades exclusivas, incluindo alta resistência, flexibilidade e durabilidade, os tornam ideais para uso nessas aplicações.

Material	Tamanho	Grossura	Índice de refração	Densidade do material	Expansividade	Módulo de Young Knoop	Dureza Knoop
Unidade	milímetros	milímetros	segundo (20 graus)	g/cm3	(20-300 grau)	kN/mm2	Hong Kong0.1/20
BOROFLOAT 33	1150 x 850	0.7 - 25.4	1.4714	2.2	3.25 x 10-6 K-1	64	480
D 263T Eco	440 x 360	0.1 - 1.1	1.5231	2.51	7.2 x 10-6 K-1	72.9	590
B 270i	258 x 406	0.7 - 17	1.523	2.56	9.4 x10-6 K-1	71.1	500

Bolacha
Tamanhos:	Normalmente de 1 polegada a 4 polegadas
Grossura:	Normalmente {{0}},5 mm e 1,0 mm
Abertura clara:	Central 90% do diâmetro
Planicidade:	De 1/4 onda a 2 ondas
Paralelismo:	De 5 segundos de arco a 15 segundos de arco
Qualidade da superfície:	10-5 e 20/10
Robustez:	5 angstrom a 10 angstrom
Material:	Quartzo, LiTaO3, LiNbO3, LiNb dopado com MgO

janelas
Tamanhos:	4 mm a 300 mm
Grossura:	De 0,3 mm a 30 mm
Abertura clara:	Central 90% do diâmetro
Planicidade:	1/10 onda
Paralelismo:	1 segundo de arco
Qualidade da superfície:	20-10 ou melhor
Formas:	Formas circulares, retangulares e especiais
Material:	Vidros ópticos, sílica fundida, B270, D263T, BOROFLOAT 33

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