Oxidação térmica de wafers de silícioé um processo no qual uma camada de dióxido de silício é formada na superfície de uma pastilha de silício sob alta temperatura. Este processo é amplamente utilizado na fabricação de dispositivos semicondutores e microeletrônica.
Durante o processo, a pastilha de silício é colocada em um forno e aquecida em alta temperatura na presença de oxigênio ou vapor d'água. À medida que a temperatura aumenta, o oxigênio ou vapor de água reage com os átomos de silício na superfície do wafer, formando uma camada de dióxido de silício.
A espessura da camada de óxido pode ser controlada ajustando a temperatura e a duração do processo. A camada de óxido resultante possui superfície lisa e alta pureza, o que é essencial para a produção de dispositivos semicondutores de alta qualidade.
O processo de oxidação térmica é uma etapa crítica na produção de dispositivos semicondutores, pois fornece uma camada protetora que pode prevenir a contaminação e melhorar a confiabilidade e o desempenho dos dispositivos. Além disso, a camada de óxido pode atuar como isolante, permitindo a criação de diferentes regiões de material semicondutor com propriedades elétricas variadas.
Em resumo, a oxidação térmica de pastilhas de silício é um processo crucial na fabricação de dispositivos semicondutores e microeletrônica. Ele fornece uma camada de óxido uniforme e de alta qualidade que melhora o desempenho e a confiabilidade dos dispositivos e permite a criação de diferentes regiões de material semicondutor com propriedades elétricas variadas.